casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-3N-131005FE
Número de pieza del fabricante | MOX-3N-131005FE |
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Número de parte futuro | FT-MOX-3N-131005FE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-3N-131005FE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 MOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 4W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131005FE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-3N-131005FE-FT |
OA181K
Ohmite
OA181KE
Ohmite
OA180K
Ohmite
OA180KE
Ohmite
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
Ohmite
OA151K
Ohmite
OA151KE
Ohmite
LFXP3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
XC4013XL-2HT176C
Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3N
Intel
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation