casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-2N-131005FE
Número de pieza del fabricante | MOX-2N-131005FE |
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Número de parte futuro | FT-MOX-2N-131005FE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-2N-131005FE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 MOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.345" Dia x 2.140" L (8.76mm x 54.36mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2N-131005FE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-2N-131005FE-FT |
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
OA123KE
Ohmite
OA122K
Ohmite
OA122KE
Ohmite
OA120K
Ohmite
OA121KE
Ohmite
OA120KE
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OA105K
Ohmite
LFEC6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
10AX027H3F34E2LG
Intel
XC7K355T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40E3SG
Intel
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EP20K200CB652C7
Intel