casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-2-12-1006J
Número de pieza del fabricante | MOX-2-12-1006J |
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Número de parte futuro | FT-MOX-2-12-1006J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-2-12-1006J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Resistencia | 100 MOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 5W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.310" Dia x 2.120" L (7.87mm x 53.85mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2-12-1006J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-2-12-1006J-FT |
OA122KE
Ohmite
OA120K
Ohmite
OA121KE
Ohmite
OA120KE
Ohmite
OA105K
Ohmite
OA105KE
Ohmite
OA104K
Ohmite
OA104KE
Ohmite
OA103K
Ohmite
OA103KE
Ohmite
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel