casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-1N-131007JE
Número de pieza del fabricante | MOX-1N-131007JE |
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Número de parte futuro | FT-MOX-1N-131007JE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-1N-131007JE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 GOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.345" Dia x 1.140" L (8.76mm x 28.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1N-131007JE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-1N-131007JE-FT |
OA102KE
Ohmite
OA101K
Ohmite
OA101KE
Ohmite
OA100K
Ohmite
OA100KE
Ohmite
MOX97021004FVE
Ohmite
MOX97022505FTE
Ohmite
MOX97025004FVE
Ohmite
MOX97021005FVE
Ohmite
MOX96021006FVE
Ohmite
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel