casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-1N-131006FE
Número de pieza del fabricante | MOX-1N-131006FE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MOX-1N-131006FE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-1N-131006FE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 MOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.345" Dia x 1.140" L (8.76mm x 28.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1N-131006FE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-1N-131006FE-FT |
OA102K
Ohmite
OA102KE
Ohmite
OA101K
Ohmite
OA101KE
Ohmite
OA100K
Ohmite
OA100KE
Ohmite
MOX97021004FVE
Ohmite
MOX97022505FTE
Ohmite
MOX97025004FVE
Ohmite
MOX97021005FVE
Ohmite
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel