casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / MMDT4146-7-F
Número de pieza del fabricante | MMDT4146-7-F |
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Número de parte futuro | FT-MMDT4146-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT4146-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 25V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 300MHz, 250MHz |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4146-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMDT4146-7-F-FT |
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
DST3906DJ-7
Diodes Incorporated
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCV300E-6FG456C
Xilinx Inc.
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC2V2000-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel