casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / MMDT4126-7
Número de pieza del fabricante | MMDT4126-7 |
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Número de parte futuro | FT-MMDT4126-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT4126-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 25V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4126-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMDT4126-7-FT |
ZDT617TC
Diodes Incorporated
ZDT619TA
Diodes Incorporated
ZDT619TC
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ZDT649TA
Diodes Incorporated
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XC5VLX50T-3FFG1136C
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XC7VX690T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7V585T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676I
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
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LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020C5
Intel