casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / MMDT3946FL3-7
Número de pieza del fabricante | MMDT3946FL3-7 |
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Número de parte futuro | FT-MMDT3946FL3-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT3946FL3-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP Complementary |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 40V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potencia - max | 370mW |
Frecuencia - Transición | 300MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | X2-DFN1310-6 (Type B) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT3946FL3-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMDT3946FL3-7-FT |
DMMT2907A-7
Diodes Incorporated
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A3PE600-PQ208I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
EP3C55U484C7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4006E-3PC84C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132I
Microsemi Corporation
EP3SE110F780I3
Intel