casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Arreglos / MMBZ16VALT1G
Número de pieza del fabricante | MMBZ16VALT1G |
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Número de parte futuro | FT-MMBZ16VALT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBZ16VALT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración | 1 Pair Common Anode |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 225mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 10mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ16VALT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMBZ16VALT1G-FT |
DZ23C4V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C51-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2FBG484C
Xilinx Inc.
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U2F45E1SG
Intel
EP20K400CB652I8ES
Intel