casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10LT1G
Número de pieza del fabricante | MMBTH10LT1G |
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Número de parte futuro | FT-MMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBTH10LT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 25V |
Frecuencia - Transición | 650MHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | - |
Potencia - max | 225mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10LT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMBTH10LT1G-FT |
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
A40MX02-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C6NES
Intel
EPF8452ALC84-2
Intel
EP1SGX40DF1020I6N
Intel