casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / MMBT2907A-G
Número de pieza del fabricante | MMBT2907A-G |
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Número de parte futuro | FT-MMBT2907A-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2907A-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 20nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potencia - max | 350mW |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907A-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMBT2907A-G-FT |
MMSTA63-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA64-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA92-7-F
Diodes Incorporated
MMST2222A-7
Diodes Incorporated
MMST2907A-7
Diodes Incorporated
MMST3904-7
Diodes Incorporated
MMST3906-7
Diodes Incorporated
MMST4124-7
Diodes Incorporated
MMST4126-7
Diodes Incorporated
MMST4401-7
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel