Número de pieza del fabricante | MMBD914 |
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Número de parte futuro | FT-MMBD914 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD914 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 10mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD914 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMBD914-FT |
MMBD4448
ON Semiconductor
1SS193-TP
Micro Commercial Co
MMBD1501-TP
Micro Commercial Co
MMBD4448-TP
Micro Commercial Co
MMBD914-TP
Micro Commercial Co
1SS193,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS190TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DA3X107K0L
Panasonic Electronic Components
DA3X108K0L
Panasonic Electronic Components
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel