casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MMBD4448HTA-TP
Número de pieza del fabricante | MMBD4448HTA-TP |
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Número de parte futuro | FT-MMBD4448HTA-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD4448HTA-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 250mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-523 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HTA-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMBD4448HTA-TP-FT |
NRVHP620MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDWFT1G
ON Semiconductor
BAS21DW5T1G
ON Semiconductor
SBAS21DW5T1G
ON Semiconductor
SBAS21DW5T3G
ON Semiconductor
SBE808-TL-W
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XC7A75T-1FTG256C
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XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
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A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
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5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel