casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MMBD4448HAQW-TP
Número de pieza del fabricante | MMBD4448HAQW-TP |
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Número de parte futuro | FT-MMBD4448HAQW-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD4448HAQW-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 2 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 250mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HAQW-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMBD4448HAQW-TP-FT |
1PS301/ZLX
NXP USA Inc.
BAT54CW/6/ZLX
NXP USA Inc.
1PS75SB45,115
NXP USA Inc.
1PS75SB45,135
NXP USA Inc.
BAV70T,115
NXP USA Inc.
BAW56T,115
NXP USA Inc.
BYV34G-600,127
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200,118
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200PLJ
WeEn Semiconductors
BAS40-04/ZLR
NXP USA Inc.
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel