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Número de pieza del fabricante | MLP2520W3R3MT0S1 |
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Número de parte futuro | FT-MLP2520W3R3MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2520W3R3MT0S1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 208 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2520W3R3MT0S1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MLP2520W3R3MT0S1-FT |
MLZ2012M150WT000
TDK Corporation
MLZ2012N2R2LT000
TDK Corporation
MLZ2012A1R0WT000
TDK Corporation
MLZ2012A1R5WT000
TDK Corporation
MLZ2012A2R2WT000
TDK Corporation
MLZ2012M100WTD25
TDK Corporation
MLZ2012M4R7WTD25
TDK Corporation
MLZ2012N6R8LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N150LT000
TDK Corporation
MLZ2012DR47DT000
TDK Corporation
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel