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Número de pieza del fabricante | MLP2016H1R5MT0S1 |
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Número de parte futuro | FT-MLP2016H1R5MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2016H1R5MT0S1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1.5µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 137.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016H1R5MT0S1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MLP2016H1R5MT0S1-FT |
MLZ2012N1R5LT000
TDK Corporation
MLZ2012DR47DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT
TDK Corporation
MLZ2012M3R3HT
TDK Corporation
MLZ2012M6R8HT
TDK Corporation
MLZ2012P220WT
TDK Corporation
MLZ2012A1R0WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A1R5WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A2R2WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A3R3WTD25
TDK Corporation
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel