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Número de pieza del fabricante | MLP2012V2R2MT0S1 |
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Número de parte futuro | FT-MLP2012V2R2MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2012V2R2MT0S1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 700mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 360 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2012V2R2MT0S1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MLP2012V2R2MT0S1-FT |
MLZ2012N3R3LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N4R7LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N6R8LT000
TDK Corporation
MLZ2012P220WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A1R0M
TDK Corporation
MLZ2012A2R2MT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10MT000
TDK Corporation
MLZ2012DR22MT000
TDK Corporation
MLZ2012DR47MT000
TDK Corporation
MLZ2012E100M
TDK Corporation
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel