casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / MLF1608DR10M
Número de pieza del fabricante | MLF1608DR10M |
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Número de parte futuro | FT-MLF1608DR10M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLF |
MLF1608DR10M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 100nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 200mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 15 @ 25MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 450MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.037" (0.95mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF1608DR10M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MLF1608DR10M-FT |
VLS201612HBX-R47M-1
TDK Corporation
VLS252010HBX-3R3M-1
TDK Corporation
VLS252010HBX-R33M-1
TDK Corporation
VLS252010HBX-R68M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-100M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-1R5M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-4R7M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-R24M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-R33M-1
TDK Corporation
GLCR2012T100M-HC
TDK Corporation
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation