casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / MJH11017G
Número de pieza del fabricante | MJH11017G |
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Número de parte futuro | FT-MJH11017G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJH11017G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Darlington |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 15A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 150V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 150mA, 15A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 10A, 5V |
Potencia - max | 150W |
Frecuencia - Transición | 3MHz |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJH11017G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MJH11017G-FT |
FJA4213RTU
ON Semiconductor
2SC5200N(S1,E,S)
Toshiba Semiconductor and Storage
2STA1694
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2STC4467
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TIP35CP
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ON Semiconductor
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XC6VCX130T-2FFG484I
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M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
10M16DCF256I6G
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5SGXMA4K3F40I4N
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XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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