casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / MJD112G
Número de pieza del fabricante | MJD112G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MJD112G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD112G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 2A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 20µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potencia - max | 1.75W |
Frecuencia - Transición | 25MHz |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MJD112G-FT |
S2SC4617G
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