casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MIO1200-33E10
Número de pieza del fabricante | MIO1200-33E10 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MIO1200-33E10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MIO1200-33E10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuración | Single Switch |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 3300V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1200A |
Potencia - max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 120mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 187nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | E10 |
Paquete del dispositivo del proveedor | E10 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIO1200-33E10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MIO1200-33E10-FT |
IRG5K400HF06B
Infineon Technologies
IRG5K50FF06E
Infineon Technologies
IRG5K50HF06A
Infineon Technologies
IRG5K50HF12A
Infineon Technologies
IRG5K75FF06E
Infineon Technologies
IRG5K75HF06A
Infineon Technologies
IRG5K75HF12A
Infineon Technologies
IRG5K75HH06E
Infineon Technologies
IRG5U100HF06A
Infineon Technologies
IRG5U100HF12A
Infineon Technologies
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel