casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MIEB101W1200EH
Número de pieza del fabricante | MIEB101W1200EH |
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Número de parte futuro | FT-MIEB101W1200EH |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MIEB101W1200EH Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 183A |
Potencia - max | 630W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 300µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | E3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | E3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIEB101W1200EH Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MIEB101W1200EH-FT |
IRG5K200HF12B
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IRG5K300HF06B
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IRG5K75HF06A
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XC2S150-6FGG456C
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A42MX36-3BG272I
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A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
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XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
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EP4CE30F29C8
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EP4CE75F29I7
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EP3C25F324C8N
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EP1K100QI208-2N
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