casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / MGV201610R47M-10
Número de pieza del fabricante | MGV201610R47M-10 |
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Número de parte futuro | FT-MGV201610R47M-10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV201610R47M-10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 470nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.5A |
Corriente - Saturación | 4.4A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV201610R47M-10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MGV201610R47M-10-FT |
AIUR-05-3R3M
Abracon LLC
AIUR-05-100K
Abracon LLC
AIUR-05-101K
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EP2C5T144C8N
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XC6VLX75T-3FFG484C
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A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
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Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel