casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / MGV1205R82M-10
Número de pieza del fabricante | MGV1205R82M-10 |
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Número de parte futuro | FT-MGV1205R82M-10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV1205R82M-10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 31A |
Corriente - Saturación | 53A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.209" (5.30mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1205R82M-10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MGV1205R82M-10-FT |
TYS4030150M-10
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A54SX16A-2TQG144
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XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
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A3PN250-1VQG100
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EP3C55F484C8
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5AGXMA5G4F31C4N
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