casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / MGV1203R82M-10
Número de pieza del fabricante | MGV1203R82M-10 |
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Número de parte futuro | FT-MGV1203R82M-10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV1203R82M-10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 25A |
Corriente - Saturación | 44A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0404 (1010 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.150" (3.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1203R82M-10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MGV1203R82M-10-FT |
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XC2S100-6FGG256C
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A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
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5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel