casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / MGV1203R10M-10
Número de pieza del fabricante | MGV1203R10M-10 |
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Número de parte futuro | FT-MGV1203R10M-10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV1203R10M-10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 100nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 43A |
Corriente - Saturación | 84A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 0.96 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0404 (1010 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.150" (3.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1203R10M-10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MGV1203R10M-10-FT |
MGV1205R68M-10
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MGV06051R0M-10
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel