casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / MGV0603R22M-10
Número de pieza del fabricante | MGV0603R22M-10 |
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Número de parte futuro | FT-MGV0603R22M-10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV0603R22M-10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 220nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 23A |
Corriente - Saturación | 40A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.287" L x 0.264" W (7.30mm x 6.70mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.130" (3.30mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0603R22M-10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MGV0603R22M-10-FT |
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LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel