casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / MGV0602R10N-10
Número de pieza del fabricante | MGV0602R10N-10 |
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Número de parte futuro | FT-MGV0602R10N-10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV0602R10N-10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 100nH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 21A |
Corriente - Saturación | 40A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.283" L x 0.264" W (7.20mm x 6.70mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.094" (2.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0602R10N-10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MGV0602R10N-10-FT |
MGA04023R3M-10
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XC6SLX150-3FGG900I
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XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel