casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG17150D-BN4MM
Número de pieza del fabricante | MG17150D-BN4MM |
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Número de parte futuro | FT-MG17150D-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG17150D-BN4MM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1700V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 250A |
Potencia - max | 890W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 150A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 3mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 13.6nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | D-3 Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | D3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG17150D-BN4MM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MG17150D-BN4MM-FT |
FZ1800R12HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3_B11
Infineon Technologies
VS-70MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel