casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / ME501206
Número de pieza del fabricante | ME501206 |
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Número de parte futuro | FT-ME501206 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ME501206 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 60A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 60A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10mA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ME501206 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ME501206-FT |
KBP304G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP305G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP305G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP306-BP
Micro Commercial Co
KBP306G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP306G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP307G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP307G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP308-BP
Micro Commercial Co
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
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5SGSMD8K3F40I4N
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5SGXEA7H2F35C2
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EP3SL340H1152I4LN
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
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