casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MDMA35P1200TG
Número de pieza del fabricante | MDMA35P1200TG |
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Número de parte futuro | FT-MDMA35P1200TG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDMA35P1200TG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.16V @ 35A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | TO-240AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-240AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA35P1200TG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MDMA35P1200TG-FT |
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel