casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / MCT9001SD
Número de pieza del fabricante | MCT9001SD |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MCT9001SD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCT9001SD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 2 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 50% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 600% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 3µs, 3µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 2.4µs, 2.4µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | 30mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 400mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCT9001SD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCT9001SD-FT |
TLP184(BL-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP184(GR-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP185(Y-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP184(E)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP182(BL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP182(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP182(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP182(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP182(GR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP182(GR-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F256C8N
Intel
5SGSMD5K2F40C2
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
A42MX24-1PQ160M
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel
EP3SE80F780I4
Intel
EP20K1500EBC652-2
Intel