casa / productos / Productos semiconductores discretos / Tiristores - SCRs / MCR100-6 A1G
Número de pieza del fabricante | MCR100-6 A1G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MCR100-6 A1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCR100-6 A1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Estado apagado | 400V |
Voltaje - Gatillo de la puerta (Vgt) (Máx.) | 800mV |
Corriente - gatillo de la puerta (Igt) (Max) | 200µA |
Voltaje - En estado (Vtm) (Máx.) | 1.7V |
Estado actual de encendido (It (AV)) (Max) | - |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Corriente - Mantener (Ih) (Max) | 5mA |
Estado actual de apagado (máx.) | 10µA |
Corriente - No Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Tipo SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-6 A1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCR100-6 A1G-FT |
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQ100I
Microsemi Corporation
XA3S400-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C40F484I7N
Intel
10AX032E2F29E2LG
Intel
XA6SLX9-2CSG324I
Xilinx Inc.
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
EP1K100QC208-2NGZ
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel