casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / MCQ4410-TP
Número de pieza del fabricante | MCQ4410-TP |
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Número de parte futuro | FT-MCQ4410-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCQ4410-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9130pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCQ4410-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCQ4410-TP-FT |
SI4682DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4682DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4684DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4684DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4686DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4688DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4688DY-T1-GE3
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SI4712DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4752DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4774DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel