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Número de pieza del fabricante | MBRS10H200CT MNG |
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Número de parte futuro | FT-MBRS10H200CT MNG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRS10H200CT MNG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 970mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS10H200CT MNG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRS10H200CT MNG-FT |
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2535CT C0G
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MBR2535CTHC0G
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MBR2545CT C0G
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MBR2545CTHC0G
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MBR2550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
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M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
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10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
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EP3SE80F780C2
Intel