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Número de pieza del fabricante | MBRF10200CT-JT |
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Número de parte futuro | FT-MBRF10200CT-JT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRF10200CT-JT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 910mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF10200CT-JT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRF10200CT-JT-FT |
BAV99TA
Diodes Incorporated
BAW156
Diodes Incorporated
BAW156-F
Diodes Incorporated
BAW56-7
Diodes Incorporated
BAW56TA
Diodes Incorporated
FLLD258TA
Diodes Incorporated
FLLD261TA
Diodes Incorporated
MMBD2004S
Diodes Incorporated
MMBD3004S-7
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MMBD7000-7
Diodes Incorporated
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
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AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel