casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRD835TR
Número de pieza del fabricante | MBRD835TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MBRD835TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRD835TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 510mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1.4mA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD835TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRD835TR-FT |
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
STD10100TR
SMC Diode Solutions
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
EP3C25U256A7N
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5SGSMD4E3H29I3N
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5SGXMA3K2F35I3N
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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