casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBRB20H100CTGHE3/8
Número de pieza del fabricante | MBRB20H100CTGHE3/8 |
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Número de parte futuro | FT-MBRB20H100CTGHE3/8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB20H100CTGHE3/8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 770mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20H100CTGHE3/8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRB20H100CTGHE3/8-FT |
FEPB16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel