casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBR600200CTR
Número de pieza del fabricante | MBR600200CTR |
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Número de parte futuro | FT-MBR600200CTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR600200CTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 300A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 300A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Twin Tower |
Paquete del dispositivo del proveedor | Twin Tower |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR600200CTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR600200CTR-FT |
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
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MBR2X080A200
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MBR2X100A045
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MBR2X100A060
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MBR2X100A080
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MBR2X100A100
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MBR2X100A120
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ICE40UP5K-SG48ITR50
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XC4010XL-1TQ144I
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LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
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XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation