casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBR600150CT
Número de pieza del fabricante | MBR600150CT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MBR600150CT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR600150CT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 300A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 880mV @ 300A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Twin Tower |
Paquete del dispositivo del proveedor | Twin Tower |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR600150CT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR600150CT-FT |
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel