casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBR5200VPB-E1
Número de pieza del fabricante | MBR5200VPB-E1 |
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Número de parte futuro | FT-MBR5200VPB-E1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR5200VPB-E1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-27 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR5200VPB-E1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR5200VPB-E1-FT |
JANTXV1N6078
Microsemi Corporation
JANTXV1N6081
Microsemi Corporation
JANTXV1N6391
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JANTXV1N647-1
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JANTXV1N649-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620U
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6621
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A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
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APA1000-CQ352M
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EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel