casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBR50060CTR
Número de pieza del fabricante | MBR50060CTR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MBR50060CTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR50060CTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 500A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 250A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Twin Tower |
Paquete del dispositivo del proveedor | Twin Tower |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50060CTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR50060CTR-FT |
MBR2X060A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation