casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBR40030CT
Número de pieza del fabricante | MBR40030CT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MBR40030CT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR40030CT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 400A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 650mV @ 200A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Twin Tower |
Paquete del dispositivo del proveedor | Twin Tower |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40030CT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR40030CT-FT |
MURF10040R
GeneSiC Semiconductor
MURF10060
GeneSiC Semiconductor
MURF10060R
GeneSiC Semiconductor
MURF20040
GeneSiC Semiconductor
MURF20040R
GeneSiC Semiconductor
MURF20060
GeneSiC Semiconductor
MURF20060R
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A100
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel