casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBR30H100CT C0G
Número de pieza del fabricante | MBR30H100CT C0G |
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Número de parte futuro | FT-MBR30H100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30H100CT C0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 980mV @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30H100CT C0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR30H100CT C0G-FT |
HER1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1606G C0G
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XC4005E-4PQ208I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel