casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBR30100CT-G1
Número de pieza del fabricante | MBR30100CT-G1 |
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Número de parte futuro | FT-MBR30100CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30100CT-G1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 15A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30100CT-G1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR30100CT-G1-FT |
VS-VSKD91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel