casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBR2H200SFT1G
Número de pieza del fabricante | MBR2H200SFT1G |
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Número de parte futuro | FT-MBR2H200SFT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2H200SFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 940mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123F |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123FL |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2H200SFT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR2H200SFT1G-FT |
NSR0240P2T5G
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NSR0340P2T5G
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BAS70SL
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NSVR0230M2T5G
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NSR0230M2T5G
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RB520S30T1G
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XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
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M2GL010T-1VFG256I
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10M40DAF256I6G
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XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
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LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE30F29I7
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