casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBR10100HC0G
Número de pieza del fabricante | MBR10100HC0G |
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Número de parte futuro | FT-MBR10100HC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100HC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100HC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR10100HC0G-FT |
1SS413CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS05S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel