casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBR10100HC0G
Número de pieza del fabricante | MBR10100HC0G |
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Número de parte futuro | FT-MBR10100HC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100HC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100HC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR10100HC0G-FT |
1SS413CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS05S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel