casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RS64TPN-G-AMEWE1
Número de pieza del fabricante | MB85RS64TPN-G-AMEWE1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MB85RS64TPN-G-AMEWE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SON |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RS64TPN-G-AMEWE1-FT |
IDT71V416VS12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel