casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RS64TPN-G-AMEWE1
Número de pieza del fabricante | MB85RS64TPN-G-AMEWE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RS64TPN-G-AMEWE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SON |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RS64TPN-G-AMEWE1-FT |
IDT71V416VS12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel