Número de pieza del fabricante | MB4M-BP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MB4M-BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB4M-BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 500mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 400mA |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | MB-1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB4M-BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB4M-BP-FT |
KBP301G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302-BP
Micro Commercial Co
KBP302G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304-BP
Micro Commercial Co
KBP304G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP305G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel