casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / MB12S-TP
Número de pieza del fabricante | MB12S-TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MB12S-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB12S-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Schottky |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-269AA, 4-BESOP |
Paquete del dispositivo del proveedor | MBS-1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB12S-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB12S-TP-FT |
TS25P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel